Construyen el primer láser semiconductor de germanio y estaño

     Científicos del Centro de Investigación de Jülich (Alemania) y el Instituto Paul Scherrer (Suiza), en colaboración con socios de la Universidad de Vigo y otros centros europeos, acaban de presentar el primer láser semiconductor compuesto exclusivamente por elementos del grupo 14 de la tabla periódica, en concreto de germanio (Ge) y estaño (Sn).

      Se trata del primer láser basado en aleaciones de germanio y estaño y que abre el camino hacia nuevos dispositivos ópticos con unas características sin precedentes. 

Esquema del láser de germanio-estaño (GeSn) / © Forschungszentrum Jülich

     La longitud de onda emitida que consigue este láser es de 3.000 nanómetros (en el umbral entre el rango de infrarrojo cercano y el mediano), tiene utilidad en sensores de contaminación y de microorganismos, así como en biosensores para los diagnósticos rápidos en telemedicina usando dispositivos portátiles.

     Otra de la ventajas de esta tecnología láser es su precio reducido, un factor con importantes repercusiones en el campo de la microelectrónica.

FUENTE:   Universidad de Vigo y SINC

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