Flexoelectricidad para miniaturizar más los chips

     La revolución de las tecnologías de la información ha sido tradicionalmente sinónima de empaquetar más chips en menos espacio para aumentar la capacidad de computación. La famosa ley de Moore, que prevé que el número de transistores por chip se duplicará cada dos años, es el marco en el que se desarrollaba esta carrera tecnológica que ha conseguido mantener un ritmo frenético de mejoras durante mucho tiempo.
    
     Investigadores del instituto catalán ICN2 han liderado una colaboración internacional que ha conseguido crear el primer sistema microelectromecánico flexoeléctrico integrado en silicio. La flexoelectricidad es una propiedad que permite generar energía eléctrica doblando un material, o al revés, hacer que este se doble aplicando un voltaje. El nuevo avance puede ayudar a seguir reduciendo los chips más allá de los límites planteados hasta ahora.

La flexoelectricidad abre nuevas posibilidades en la electromecánica ‘inteligente’. / Wikipedia

     Entre los llamados materiales inteligentes, los piezoeléctricos destacan por su capacidad de convertir una deformación mecánica en voltaje (que permite generar energía o cargar una batería) o bien, al contrario, modificar su forma cuando se les aplica un voltaje (algo que se puede aplicar, por ejemplo, en el diseño de ventiladores piezoeléctricos que refrigeren un circuito).

     Existe, sin embargo, otro tipo de propiedad electromecánica que permite imitar las funciones de un piezoeléctrico, doblando los materiales en lugar de apretarlos. Esta característica se denomina flexoelectricidad y, aunque hace casi medio siglo que se conoce, generalmente se ha ignorado porque sus efectos son relativamente débiles y casi imperceptibles en la macroescala.

     Además, la flexoelectricidad ofrece otras propiedades interesantes: es una propiedad universal de todos los dieléctricos, lo que significa que podemos evitar el uso de materiales tóxicos basados ​​en el plomo, y se trata de una propiedad más lineal e independiente de la temperatura que la piezoelectricidad de un ferroeléctrico.

FUENTE:  ICN2 y SINC