Un equipo internacional, en el que participan científicos de IBM
Research en Zurich (Suiza) y la Universidad de Granada (UGR), presenta
en la revista Nature Electronics la celda de Memoria Dinámica
de Acceso Aleatorio (DRAM, por sus siglas en inglés) más pequeña
construida hasta ahora, 50 años después de su invención.
Las memorias DRAM se encuentran en todo tipo de aparatos electrónicos:
desde grandes servidores de datos y ordenadores personales, hasta
dispositivos portátiles, como tablets y smartphones y consolas de videojuegos.
Las celdas de memoria DRAM actuales basadas en el silicio, consisten en un transistor MOSFET y un
condensador. A su inventor, el científico de IBM Robert Dennard, se le
ocurrió la idea de almacenar información en forma de carga eléctrica en
un condensador controlado por un transistor a mediados de la década de
1960.
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| Representación esquemática de la celda de memoria de un solo transistor. En el estado 1 (mostrado), la carga eléctrica (positive) se almacena en el cuerpo del transistor, modulando la corriente que fluye por el canal entre drenador(drain) y fuente(source). En el estado ‘0’,se elimina la carga positiva del cuerpo de transistor, y la corriente no puede fluir entre drenador y fuente. / Carlos Navarro, Universidad de Granada |
La nueva celda posee un solo transistor fabricado con arseniuro de indio y galio (InGaAs) y se ha eliminado el condensador, ya que se utiliza el mismo cuerpo del transistor para almacenar
temporalmente la carga eléctrica. La inyección y extracción de la carga
eléctrica del cuerpo del transistor permite la modulación del
comportamiento electrostático del transistor, lo que conduce a los dos
niveles de corriente diferentes que representan a los niveles lógicos 0 y
1.
Nuevos materiales, como el arseniuro de indio y galio, ofrecen la
ventaja potencial de operar a voltajes significativamente más bajos. Lo que se traduce en un consumo de energía mucho
menor y en una miniaturización antes impensable con las celdas de memoria basadas en silicio.
FUENTE: SINC
