Científicos de centros de investigación catalanes
han logrado modificar de forma selectiva el comportamiento electrónico y
magnético de ftalocianinas metálicas –un compuesto organometálico–
mediante la adición intencionada de impurezas, en concreto de átomos de
litio.
Las ftalocianinas metálicas tienen una
estructura simétrica compuesta por ocho anillos que rodean un núcleo
atómico metálico y con diferentes espacios donde pueden insertarse los
átomos dopantes. Y el proceso de adición de impurezas se conoce como
dopaje.
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| Ftalocianinas metálicas con impurezas de litio. / R. Robles |
“Se trata de un proceso fundamental en
la elaboración de dispositivos semiconductores que puede llegar a ser
muy útil en el desarrollo de materiales para nuevos tipos de
dispositivos electrónicos”, explica Roberto Robles, del Centro de
Investigación en Nanociencia y Nanotecnología (Instituto Catalán de
Nanotecnología ICN-CSIC).
“En el campo de los
materiales inorgánicos, como los semiconductores tradicionales, ha sido
ampliamente estudiado, pero aún sabemos muy poco del dopaje de
materiales orgánicos –añade–. Y este hecho ha limitado el desarrollo de
nuevos tipos de materiales para la electrónica orgánica del futuro, como
por ejemplo los superconductores orgánicos, que prometen unas funciones
singulares y características mejoradas”.
El estudio, donde también han participado otros investigadores del ICN y
la Universidad Autónoma de Barcelona, ha sido publicado en portada en
la revista Nature Materials.
FUENTE: CSIC/SINC
