Desde que en el 2010 se otorgara el Premio Nobel
de Física a Andre Geim y Konstantin Novoselov por sus experimentos con
el grafeno, los científicos e ingenieros no han dejado de investigar
este material de propiedades extraordinarias para aplicarlo en la
industria de la electrónica.
Ahora investigadores del ICFO en
Barcelona han creado un dispositivo fototransistor basado en grafeno y
puntos cuánticos (tampón de fosfato salino) que, según sus promotores,
podría cambiar el mundo de la optoelectrónica. El estudio se ha
publicado en la revista Nature Nanotechnology y ha sido citado en medios como The Economist.
La
innovadora tecnología “made in Spain” supone un avance hacia una nueva
generación de dispositivos para telecomunicaciones y electrónica,
según los autores.
Los fototransistores de grafeno y puntos cuánticos permitirán desarrollar nuevos dispositivos optoeléctricos. Imagen: ICFO.
Hasta ahora los fotodetectores de silicio que han
hecho posible las actuales tecnologías TIC, desde cámaras, monitores,
tabletas, móviles y demás productos electrónicos de consumo, presentan
limitaciones para aplicaciones que requieren la detección de luz.
Sin embargo, el tándem descubierto por el ICFO entre un material
casi perfecto conductor de la electricidad como es el grafeno, junto con nanocristales
ultra sensibles a la luz, puede convertirse en el nuevo material ideal
para los fotodetectores.
Estos
dispositivos podrían ser flexibles, ligeros y eficientes, abriendo la
puerta a una nueva generación de electrónica de consumo. Además harían
posible nuevas aplicaciones en sectores como la automoción, las
múltiples aplicaciones de los sistemas de visión nocturna y en técnicas
de imágenes biomédicas.
Referencia bibliográfica:
Gerasimos
Konstantatos, Michela Badioli, Louis Gaudreau, Johann Osmond, Maria
Bernechea, F. Pelayo Garcia de Arquer, Fabio Gatti, Frank H. L.
“Koppens. Hybrid graphene–quantum dot phototransistors with ultrahigh
gain”. Nature Nanotechnology, mayo de 2012 (on line).
Fuente: ICFO/SINC
